ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ источников питания Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ умСния ΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ, Π½ΠΎ ΠΈ возмоТности ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. ЭлСктронная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° β€” это ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ инструмСнт для тСстирования ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠšΠŸΠ” Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания. Π’ Π΄ΠΎΠΌΠ°ΡˆΠ½ΠΈΡ… условиях ΠΈ Π² Π»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… мастСрских часто Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² простом ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΌ устройствС, способном Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· слоТной Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСмСнтной Π±Π°Π·Ρ‹.

Одной ΠΈΠ· самых доступных ΠΈ эффСктивных схСм являСтся использованиС ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ составного транзистора КВ827. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ элСмСнт ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ высокой ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ рассСяния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ с Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π΄ΠΎ 5–8 Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π΅. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ соврСмСнных MOSFET-Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, биполярная структура КВ827 Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ особого ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°, Π½ΠΎ обСспСчиваСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ простоту Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌ исполнСнии.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ особСнности составного транзистора

Π’ основС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ любой Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ своС сопротивлСниС Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала. Π’ схСмС с КВ827 транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, выступая Π² Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ. Управляя Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΌΡ‹ мСняСм сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, Ρ‚Π΅ΠΌ самым рСгулируя Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ элСмСнт.

Боставная структура КВ827 (Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстного ΠΊΠ°ΠΊ Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°) обСспСчиваСт высокий коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ большими Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… Π±Π°Π·Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π°Π΅Ρ‚ схСму управлСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ для раскачки трСбуСтся слабый сигнал ΠΎΡ‚ ОУ ΠΈΠ»ΠΈ простого рСгулятора напряТСния. Однако высокая Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ особСнностями, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ.

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистор рассСиваСт ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ. Π€ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° P = (U_Π²Ρ… - U_Π²Ρ‹Ρ…) * I ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ критичСскому Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ использованиС массивного Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° с ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Π΄ΡƒΠ²ΠΎΠΌ являСтся ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ условиСм для долговСчности устройства.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с КВ827 Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ большой Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° корпуса ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 100Β°C. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ тСрмостойкиС изоляционныС ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ ΠΈ тСрмопасту высокого качСства, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ пробоя изоляции ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€.

РасчСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ сборкС, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ вашСй Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Вранзистор КВ827А Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎ 8 А, Π½ΠΎ для бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ рСкомСндуСтся ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ 5–6 А. Π­Ρ‚ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ качСства Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈ напряТСния питания. Если Π²Ρ‹ ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ Ρ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ источники питания с напряТСниСм Π΄ΠΎ 30–40 Π’, рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 150–200 Π’Ρ‚.

Для управлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ простая схСма Π½Π° биполярном транзисторС ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ элСмСнтом здСсь являСтся Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ эмиттСра ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π•Π³ΠΎ сопротивлСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ характСристики, Π½ΠΎ достаточно большим для получСния ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ напряТСния управлСния.

  • РСзистор ΡˆΡƒΠ½Ρ‚Π°: Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы с допуском 1% ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 5–10 Π’Ρ‚ (сопротивлСниС ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 0.1–0.5 Ом).
  • Π Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€
  • ВСнтилятор

Если Π²Ρ‹ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько транзисторов ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ для увСличСния мощности, Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Из-Π·Π° разброса ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² КВ827 ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ Π½Π° сСбя ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ ΠΈ ΡΠ³ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ. Для Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ этой ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Π² эмиттСрныС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ балансныС рСзисторы нСбольшого Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°.

πŸ“Š Какой ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ?
до 3 А
до 5 А
до 8 А
болСС 8 А

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° управлСния ΠΈ стабилизация Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ схСма элСктронной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° КВ827 строится Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ сравнСния. На ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ОУ подаСтся ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ источника (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°), Π° Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ β€” напряТСниС с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ОУ автоматичСски ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΡˆΡƒΠ½Ρ‚Π΅ соотвСтствовало ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ.

Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ обСспСчиваСт ΠΆΠ΅ΡΡ‚ΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° нСзависимо ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния тСстируСмого источника питания. Если напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ источника питания ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚, схСма автоматичСски ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ сопротивлСниС транзистора, поддСрТивая Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ΅ характСристик Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ просадки.

ВмСсто слоТного ОУ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΡƒΡŽ схСму Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ транзисторС, Π³Π΄Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС задаСтся Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. Однако такая схСма Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΈ зависимой ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Для Π»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся просто "Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ" Π±Π»ΠΎΠΊ питания для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π΅Π³ΠΎ устойчивости, упрощСнная схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΠΎΠΉ, хотя ΠΈ уступит Π² точности ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌ.

πŸ’‘

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ питания Π½Π° схСму ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Ρ†Π΅Π»ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора. ΠžΠ±Ρ€Ρ‹Π² Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор откроСтся Π½Π° максимум ΠΈ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ пробоя.

ΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ бСзопасности

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ β€” это самый ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ аспСкт конструкции элСктронной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Вранзистор КВ827 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ корпус ВО-3 ΠΈΠ»ΠΈ ВО-247, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ ΠΊ мСталличСскому Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ. ΠŸΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ максимальной, поэтому ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ тСрмоинтСрфСйс с высокой Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. ΠŸΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠΈΠΌΠ° Π±ΠΎΠ»Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΈΠ½Ρ‚ΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ: нСдостаточноС Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ создаст Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‡Π°Π³ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°.

Для эффСктивного ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ (Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 5 ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚) СстСствСнной ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ часто Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ нСдостаточно. НСобходимо ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅. ВСнтилятор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π°, проходящий Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅Π±Ρ€Π°. Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ вращСния вСнтилятора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ²ΡΠ·Π°Ρ‚ΡŒ с Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· тСрмостат, Π½ΠΎ для Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈ постоянноС Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Если Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ нСсколько транзисторов Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅, ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΠΈΡ… корпуса. ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ корпус транзистора КВ827 ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ соСдинСн с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π±Π΅Π· изоляционных ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΡΠ»ΡŽΠ΄ΡΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ кСрамичСскиС ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ‚ΡƒΠ»ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ΅ΠΆ.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ тСстировании ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания с Π΅ΠΌΠΊΠΈΠΌΠΈ кондСнсаторами Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ эффСкт "ΠΊΠ»ΠΈΠΏΠΏΠΈΠ½Π³Π°" ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ скачка Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. УстановитС ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ автоматичСский Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ питания, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания.

β˜‘οΈ ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 4

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ ΠΈ Ρ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ

ПослС сборки устройства Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ провСсти Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ. ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ измСрСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ источник питания с извСстным напряТСниСм. Вращая рСгулятор Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, сравнивайтС показания вашСй схСмы с эталонным ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Если Π΅ΡΡ‚ΡŒ расхоТдСния, подстройтС коэффициСнт усилСния схСмы управлСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» дСлитСля напряТСния.

ВСстированиС слСдуСт ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ поэтапно. НачнитС с ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² (0.5–1 А) ΠΈ постСпСнно ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, наблюдая Π·Π° Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΈΠΉ. Если транзистор Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ (Ρ‚ΠΎΠΊ ΡΠ°ΠΌΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎ растСт ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ сигналС), Π½Π΅ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊ нСдостаточного Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°.

Для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ постоянных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² схСма ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ идСально, Π½ΠΎ Ссли Π²Ρ‹ ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ Ρ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ источники питания, ΡƒΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы. На высоких частотах ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (дСсятки ΠΊΠ“Ρ†) транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ ΡƒΡΠΏΠ΅Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ исказит ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½Ρƒ. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… случаях ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ основной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ пассивный рСзистор для сглаТивания ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для КВ827А Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅
Макс. Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 8 А 5–6 А Для Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°
Макс. напряТСниС 100 Π’ 60–80 Π’ Запас ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ
Макс. ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 125 Π’Ρ‚ 80–100 Π’Ρ‚ ΠŸΡ€ΠΈ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΌ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния 1000 β€” Высокая Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
πŸ’‘

ΠšΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ корпусом транзистора ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ опрСдСляСт Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройства Π½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅ Π΅Π³ΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… характСристик Π±Π΅Π· Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· строя.

ΠΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Ρ‹ ΠΈ модСрнизация схСмы

Π₯отя КВ827 являСтся ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ для Π»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… схСм, соврСмСнныС MOSFET-транзисторы (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, сСрии IRF ΠΈΠ»ΠΈ SiC) ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΈ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Однако для биполярного транзистора Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Π° мСньшая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² отСчСствСнной элСмСнтной Π±Π°Π·Π΅. Если Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Ρ€Π½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ устройство, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ КВ827 Π½Π° Π΄Π²Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… MOSFET, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎ 10–15 А Π±Π΅Π· сущСствСнного роста Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ точности управлСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Π½Π΅Π΄Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΡƒΡŽ систСму рСгулирования Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ случаС ОУ замСняСтся Π½Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΈΠ»ΠΈ ШИМ-сигнал, Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ LC-Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ с Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ программирования ΠΏΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»Π΅ΠΉ разряда ΠΈ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠ² зависимости напряТСния ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

НС Π·Π°Π±Ρ‹Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Π΅ измСнСния Π² схСмС Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ мощности Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π±Π΅Π· ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ усилСния систСмы охлаТдСния ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ быстрой Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². ВсСгда оставляйтС запас ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ вСнтиляторов.

Π§Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ссли транзистор сильно грССтся?

Если корпус транзистора становится горячим Π½Π° ΠΎΡ‰ΡƒΠΏΡŒ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠΈΠΌΠ° ΠΊ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ тСрмопасты. Π’ случаС продолТСния Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π° β€” ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΡŒΡ‚Π΅ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ охлаТдСния.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹

Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ элСктронной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ КВ827 β€” это эффСктивный способ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ тСстовый стСнд для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ‚Π° схСмы, Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ высокая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ этот Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ для Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ условиС успСха β€” Π³Ρ€Π°ΠΌΠΎΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ расчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈ соблюдСниС ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ» бСзопасности ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с высокими Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ.

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ собранная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ Π²Π°ΠΌ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ характСристики Π²Π°ΡˆΠΈΡ… источников питания, Π²Ρ‹ΡΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ скрытыС Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ установкой Π² ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ устройство. ЭкспСримСнтируйтС с ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ, ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°ΠΉΡ‚Π΅ систСмы охлаТдСния, ΠΈ ваш стСнд станСт Π½Π΅Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ Π² мастСрской. ΠŸΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² элСктроникС Π½Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π»ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ, особСнно ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎ рассСивании сотСн Π²Π°Ρ‚Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°.

Какой ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ КВ827?

Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ 8 А, Π½ΠΎ для Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° бСзопасным ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΎΠΌ считаСтся 5–6 А ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ охлаТдСния.

НуТСн Π»ΠΈ стабилизатор напряТСния для Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора?

Π”Π°, для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ стабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ схСма с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связью Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ОУ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ…Π°ΠΎΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ колСбаниях питания.

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ КВ827 Π±Π΅Π· Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°?

НСт, Π±Π΅Π· Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° транзистор пСрСгрССтся ΠΈ Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя Π·Π° нСсколько сСкунд Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ 1–2 А ΠΈΠ·-Π·Π° высокого падСния напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Как ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ собранной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ?

ΠŸΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΈ источник питания. УстановитС ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ постСпСнно ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ, наблюдая Π·Π° показаниями ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ расти ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ настройкам.