Π’ соврСмСнной элСктроникС ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ устройств Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ для ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ напряТСния, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ сСти ΠΈΠ»ΠΈ аккумуляторной Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ. ИмСнно здСсь Π½Π° смСну ΡƒΡΡ‚Π°Ρ€Π΅Π²ΡˆΠΈΠΌ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ стабилизаторам приходят ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ (DC-DC Buck Converter). Они ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ эффСктивно ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ потСрями энСргии Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ.

Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ просто Β«ΡΠΆΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚Β» лишнСС напряТСниС Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ прСрывистого накоплСния ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ энСргии. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… Π½Π΅Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ Π² систСмах с высокой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π³Π΄Π΅ ΠšΠŸΠ” являСтся критичСским ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ. ПониманиС ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ для Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² схСм, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ΠΎΠ², Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚ΠΎΠΌ слоТной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ.

Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° процСсса ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройства составляСт ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ элСмСнт β€” транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ открываСтся ΠΈ закрываСтся с высокой частотой. Когда транзистор ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ источника Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, накапливая ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ Π² ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅. Π’ этот ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ (ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ транзистор Π² полноуправляСмых схСмах) Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ закрытия ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ дроссСля Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΡΡ…Π»ΠΎΠΏΡ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, создавая Π­Π”Π‘ самоиндукции, которая ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ прСрывался ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΡΠ³Π»Π°ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ кондСнсатор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ заряд Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ. Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ составляСт ΠΎΡ‚ сотСн ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠ³Π΅Ρ€Ρ† Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ΅Π³Π°Π³Π΅Ρ€Ρ†, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Π°Ρ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΉ модуляции (ШИМ). ИзмСняя ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² (ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ состояния ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Ρƒ), ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС. Если Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° потрСбляСт большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° кондСнсаторС.

Бкрытая тСория

Π—Π°ΠΊΠΎΠ½ сохранСния энСргии Π² Buck Converter

Для Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΊΡ‚ΠΎ Ρ…ΠΎΡ‡Π΅Ρ‚ ΡƒΠ³Π»ΡƒΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΡƒ процСсса: Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ зависит ΠΎΡ‚ коэффициСнта заполнСния (Duty Cycle) ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ Uout = Uin * D, Π³Π΄Π΅ D β€” это ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ открытия ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€

ΠΠ°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ всСй схСмы зависит ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΌ уязвимым элСмСнтом часто являСтся силовой транзистор (MOSFET). Он Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ максимальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΈ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ пусковом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Π”Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ (ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ) выбираСтся исходя ΠΈΠ· допустимой ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ максимальной энСргии, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚ΡŒ. Блишком малСнькая ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ большим ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΡΠΌ ΠΈ ΡˆΡƒΠΌΡƒ, Π° слишком большая β€” ΠΊ сниТСнию быстродСйствия систСмы ΠΈ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π°ΠΌ. Для соврСмСнных высокочастотных схСм часто ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ сСрдСчники ΠΈΠ· ΠΏΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π° ΠΈΠ»ΠΈ Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΈΡ‚Π°.

Π’Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ силовой Π΄ΠΈΠΎΠ΄ (Π² односторонних схСмах) ΠΈΠ»ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ (Π² синхронных). Он Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ минимальноС врСмя восстановлСния, ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ возрастут, ΠΈ ΠšΠŸΠ” ΡƒΠΏΠ°Π΄Π΅Ρ‚. Для соврСмСнных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ синхронныС выпрямитСли, Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ MOSFET-транзистором.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ дроссСля ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ провСряйтС Π΅Π³ΠΎ насыщСниС. Если Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ прСвысит ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ насыщСния, Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠΏΠ°Π΄Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π·Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΈ сСкунды.

НС Π·Π°Π±Ρ‹Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы. Они Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ эквивалСнтноС ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС (ESR). ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ кСрамичСских кондСнсаторов (для высокой частоты) ΠΈ Ρ‚Π°Π½Ρ‚Π°Π»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… элСктролитичСских (для сглаТивания низкочастотных ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ).

β˜‘οΈ Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для схСмы

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 4

Π’ΠΈΠΏΡ‹ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

БущСствуСт нСсколько Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ прСобразоватСля. НаиболСС простая ΠΈ распространСнная топология β€” асинхронный buck, Π³Π΄Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ внСшний Π΄ΠΈΠΎΠ΄. Она дСшСвлС Π² производствС, Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠšΠŸΠ” ΠΈΠ·-Π·Π° падСния напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0.7Π’ для крСмния ΠΈ 0.3-0.5Π’ для Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ).

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ продвинутая схСма β€” синхронный ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ. Π’ Π½Π΅ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ открываСтся синхронно с основным ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ практичСски Π΄ΠΎ нуля, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ для устройств с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм (3.3Π’, 1.8Π’) ΠΈ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Π’ высокоточных Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… цСпях ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° примСняСтся топология с Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ для Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡˆΡƒΠΌΠ°. Однако для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ стандартной схСмы достаточно, ΠΏΡ€ΠΈ условии ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ трассировки ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹.

πŸ“Š Какой Ρ‚ΠΈΠΏ прСобразоватСля Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅?
Асинхронный (с Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ)
Π‘ΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ (ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ)
Π“ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ (ΠΏΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΠΉ)
ΠšΠ°ΡΡ‚ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π΅

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° ΠΈ трассировки ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹

Π”Π°ΠΆΠ΅ идСальная схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ, Ссли Π½Π΅Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° Ρ€Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ (PCB). Бамая критичная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ β€” это пСтля Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π°, состоящая ΠΈΠ· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора, Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° (ΠΈΠ»ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°). Π­Ρ‚Π° пСтля Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ максимально ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ.

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, которая Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ элСктромагнитныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ (EMI) ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ пСрСнапряТСния, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ паспортныС характСристики транзисторов. Вопология ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ для высокочастотных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

ЗСмляная ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (Ground Plane) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сплошной ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄ силовыми ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ, Π½ΠΎ с Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°, Ссли это Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ. Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсаторов Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ соСдинСны Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ (Single Point Grounding), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ силовых Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠΠ΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠ° Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ часто ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Β«Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡΒ» Π½Π° высоких частотах ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли всС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ исправны.

πŸ’‘

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ кСрамичСский кондСнсатор ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊ Π½ΠΎΠΆΠΊΠ°ΠΌ силового ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ.

РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹

НСсмотря Π½Π° высокий ΠšΠŸΠ”, ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ. Основной источник ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ β€” это ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов ΠΈ сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° (Rds(on)). РасчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ срСднСй мощности, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ.

Для силовых транзисторов Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ, ΠΌΠ΅Π΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ³ΠΎΠ½Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅, соСдинСнныС с корпусом транзистора Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ отвСрстия (vias). Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ рассСиваниС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π² Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰Ρƒ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ сторону.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ВлияниС Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Rds(on) 10-50 мОм ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ
Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ 500 ΠΊΠ“Ρ† - 2 ΠœΠ“Ρ† ВлияСт Π½Π° Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ дроссСля ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 3-10 А (Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎ) ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ
ESR кондСнсаторов < 50 мОм ВлияСт Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ напряТСния

ВсСгда Π·Π°ΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ запас ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ расчСтС.

Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ нСисправности ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ диагностики

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π΅ устройств с ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ прСобразоватСлями Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго выходят ΠΈΠ· строя силовыС транзисторы ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы. ΠšΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ часто являСтся слСдствиСм пробоя Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. Π’ этом случаС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ транзистор, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ ШИМ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад.

Если устройство Π½Π΅ запускаСтся, Π½ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. ΠžΠ±Ρ€Ρ‹Π² рСзистора дСлитСля напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π° (Π² ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… схСмах) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Π½Π΅ смоТСт ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹. Часто ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° кроСтся Π² разрядС Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ кондСнсатора ΠΈΠ»ΠΈ нСисправности стабилитрона Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ питания ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

Для диагностики ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ осциллограф, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π½Π° силовом ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅. Если ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ «хвосты» ΠΈΠ»ΠΈ пСрСнапряТСния, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° Π² дроссСлС ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ…ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π΅. Если Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ, Π½ΠΎ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈΡ‰ΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π΅.

Диагностика Π±Π΅Π· осциллографа

ΠœΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ статичСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹: ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ, Ρ†Π΅Π»ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ дроссСля ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ питания Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ схСмы послС Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π° ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ отсутствиС ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ ΡΠΆΠ΅Ρ‡ΡŒ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ силовой ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ запускС.

πŸ’‘

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ диагностика ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ прСобразоватСля Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° Π±Π΅Π· понимания Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° осциллограмм Π½Π° ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… элСмСнтах.

ΠŸΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ развития Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ частоты ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ всСх ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π² ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ корпус. ИспользованиС ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ·ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ Π³Π°Π»Π»ΠΈΠΉ-Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ (GaN) ΠΈ ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄ крСмния (SiC), позволяСт ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ устройств Π² Ρ€Π°Π·Ρ‹.

Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°Π±ΠΈΡ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ DC-DC ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎ Π½Π°ΡΡ‚Ρ€Π°ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ слоТныС Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΡ‹ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ условиям Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ возмоТности для создания ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ высокоэффСктивных Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания.

Π’ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ ΠΌΡ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ Π΅Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, Π³Π΄Π΅ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ кондСнсаторы Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ нСпосрСдствСнно Π² корпус микросхСмы, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ источники питания практичСски любого напряТСния прямо Π½Π° кристаллС процСссора.

Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ синхронного прСобразоватСля ΠΎΡ‚ асинхронного?

Π’ асинхронном ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ для выпрямлСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ постоянноС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния. Π’ синхронном вмСсто Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ транзистор с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠšΠŸΠ”, особСнно ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСниях.

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ?

Π¨ΡƒΠΌ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½ Π»ΠΈΠ±ΠΎ акустичСскими вибрациями дроссСля (ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ ΠΈΠ»ΠΈ магнитострикция) ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° рСзонансной частотС, Π»ΠΈΠ±ΠΎ высокочастотными ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…Π°ΠΌΠΈ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. Иногда ΡˆΡƒΠΌ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ PFM (Power Frequency Modulation) ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°Ρ….

Как Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ дроссСля?

Минимальная ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассчитываСтся ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ L = (Uin - Uout) D / (f Ξ”I), Π³Π΄Π΅ Uin ΠΈ Uout β€” Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, D β€” коэффициСнт заполнСния, f β€” частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Ξ”I β€” допустимая ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 20-40% ΠΎΡ‚ максимального Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ).

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ стабилизатор вмСсто ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ?

ВСхничСски ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ссли Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ°, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΌΠ°Π». Однако ΠΏΡ€ΠΈ большой Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π΅ напряТСний ΠΈΠ»ΠΈ высоком Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ стабилизатор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ энСргии Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ нСэффСктивно.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ прСрывистых Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² (DCM)?

Π­Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎ нуля Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ части ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Π₯Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π΅Π½ для ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ. Π’ этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠšΠŸΠ” ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ, Π° ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ напряТСния Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, поэтому ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ пСрСводят устройство Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ PFM для экономии энСргии.