Π’ соврСмСнной автоэлСктроникС ΠΈ силовых схСмах Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ являСтся критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ. ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС позволяСт ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ сгораниС ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· строя дорогостоящСго оборудования ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠΌ скачкС потрСблСния. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ простых ΠΏΠ»Π°Π²ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ схСмы Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ MOSFET ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ автоматичСского восстановлСния послС устранСния нСисправности.

ИспользованиС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π² качСствС ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ прСимущСства: минимальноС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΈ высокий ΠšΠŸΠ”. Π­Ρ‚ΠΎ особСнно Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для аккумуляторных Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉ Π½Π° элСктромобилях ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… аудиосистСм, Π³Π΄Π΅ каТдая сотая Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° падСния мощности ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ рассчитанная схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€, Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡΡΡŒ Π² источник Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°.

МногиС мастСра ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Π³Π°ΡŽΡ‚ расчСтом Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°, считая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор справится с Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ сам. Однако Π±Π΅Π· ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° тСпловыдСлСния ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ насыщСния схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΠ· строя ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ ΡΠ΅Ρ€ΡŒΠ΅Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π»ΠΈΠΌΠΈΡ‚Π΅Ρ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ доступныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ограничСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π€ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ идСя Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² использовании ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Π’ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ MOSFET Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ: Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π’ схСмС ограничитСля ΠΎΠ½ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор, управляСмый напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт Π΅ΠΌΡƒ Π³Π°ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, пропуская строго Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ элСмСнтом схСмы являСтся Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ собой Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. Когда Ρ‚ΠΎΠΊ достигаСт ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° срабатывания, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° этом рСзисторС становится достаточным для открытия Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π’ΠΎΡ‚, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, оттягиваСт Ρ‚ΠΎΠΊ с Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° основного ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, пониТая Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ограничивая ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ элСктронов.

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ транзистора способности Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Если ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ сразу послС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· трансформатора, Π° напряТСниС источника составит 12 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Ρ‚ΠΎ транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ эту ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°. ИмСнно поэтому Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Kelvin ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² для Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° становятся ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ надСТности.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ограничСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ быстро ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡΡ. Π£Π±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° рассчитана Π½Π° рассСиваниС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ мощности источника питания ΠΏΡ€ΠΈ максимальном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ срабатывания.

РасчСт ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²

Основа любой схСмы ограничСния β€” это Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π’Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока ID, Π½ΠΎ ΠΈ Π½Π° максимальноС напряТСниС сток-исток VDS. Для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм с напряТСниСм 12Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 24Π’ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ транзисторы сСрии IRF3205 ΠΈΠ»ΠΈ IRF4905, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° RDS(on).

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ критичСский ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ β€” рСзистор Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π•Π³ΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» рассчитываСтся ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Ома, исходя ΠΈΠ· напряТСния отпирания Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ биполярного транзистора (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,6–0,7 Π’). Если Π²Ρ‹ ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 10 АмпСр, сопротивлСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,066 Ом. ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ рСзистора Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ с запасом, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ срабатывания Π½Π° Π½Π΅ΠΌ выдСляСтся Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ.

Для управлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ биполярный транзистор Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. Π•Π³ΠΎ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° β€” ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. ΠŸΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ h21e здСсь ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ: слишком ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ коэффициСнт ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ нСточности срабатывания, Π° слишком большой ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ самовозбуТдСниС схСмы.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ НазначСниС
ПолСвой транзистор VDS > 30Π’, RDS(on) < 10 мОм Основной элСмСнт ограничСния
РСзистор Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 2-5 Π’Ρ‚, Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 1% Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ падСния напряТСния
Биполярный транзистор IC > 100 мА, h21e > 100 Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ MOSFET
ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° 470 Π½Π€ – 1 ΠΌΠΊΠ€ Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ высокочастотных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…

НС Π·Π°Π±Ρ‹Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΎ стабилизаторС напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅. Если ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ схСмы бСрСтся Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ ΠΎΡ‚ источника, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈ просадкС напряТСния Π½Π° Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Иногда Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ источник питания для схСмы управлСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ просадках сСти.

πŸ“Š Какой ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ограничСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅?
Π›ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π° MOSFET
ШИМ-ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€
Плавкий ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ
АвтоматичСский Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Бамая большая ошибка ΠΏΡ€ΠΈ сборкС ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° β€” ΠΈΠ³Π½ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ². Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ограничСния транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² "Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°", Π³Π΄Π΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅Π½. Π­Ρ‚ΠΎ сочСтаниС Ρ€ΠΎΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ колоссальноС количСство Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°. Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ дСсятков Π²Π°Ρ‚Ρ‚ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² 5-10 АмпСр.

Для рассСивания Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ массивный Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ с Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ вСнтиляциСй. ΠŸΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° подбираСтся исходя ΠΈΠ· максимальной мощности рассСивания. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ тСрмопасту высокого качСства, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ минимальноС тСрмичСскоС сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ корпусом транзистора ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π‘Π΅Π· этого Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π° считанныС сСкунды.

Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… схСмах примСняСтся Π·Π°ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ срабатывания с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ кондСнсатора. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… срабатываний ΠΎΡ‚ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… пусковых Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΏΡ€ΠΈ запускС двигатСля автомобиля ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля. Однако слишком большая Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ схСма сработаСт с Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ опасно.

πŸ’‘

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ расчСт Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° β€” это Π½Π΅ рСкомСндация, Π° ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ условиС выТивания схСмы Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ стабилизации

Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ надСТности часто Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ схСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ пСрСнапряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. Если напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ допустимоС для транзистора, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ β€” использованиС варистора ΠΈΠ»ΠΈ стабилитрона, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ. Они "ΡΡ€Π΅Π·Π°ΡŽΡ‚" опасныС ΠΏΠΈΠΊΠΈ напряТСния.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠΎΠ²ΠΊΠΈ. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ встроСнный Π΄ΠΈΠΎΠ΄ сток-исток, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… схСмах ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½, Π½ΠΎ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… β€” опасСн. Если Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ источник питания с Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· этот Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π² ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ транзистора, ΠΈ схСма ограничСния Π½Π΅ сработаСт. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ часто Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ внСшний Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ транзистор Π² качСствС Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ.

Π’ высокочастотных схСмах (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ… питания) простая схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ самовозбуТдСниС. Для Π±ΠΎΡ€ΡŒΠ±Ρ‹ с этим Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ нСбольшой рСзистор (10-100 Ом) ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ RC-Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ колСбания, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ транзистор.

Π§Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли транзистор грССтся, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ограничиваСтся?ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡŒΡ‚Π΅ сопротивлСниС рСзистора Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°

ΠΎΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π° ΠΈΠ»ΠΈ окислСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π²Π° ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра Π²ΡΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Иногда ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° кроСтся Π² нСдостаточном напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ открытия Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ инструкция ΠΏΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΡƒ

Π‘Π±ΠΎΡ€ΠΊΠ° схСмы Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ аккуратности ΠΈ внимания ΠΊ дСталям. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΠΌΠ΅Π΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° достаточного сСчСния для силовых Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС. Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ вынСсСны максимально Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ влияниС сопротивлСния ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСрСния.

β˜‘οΈ ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ собранной схСмы

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 5

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°ΠΉΡ‚Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ паяльника. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ оксидный слой ΠΈ транзистор Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя Π΅Ρ‰Π΅ Π΄ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ антистатичСский браслСт, Ссли Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚Π΅ с Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ MOSFET с высоким Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм.

ПослС сборки Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ провСсти тСстированиС с Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. НачнитС с ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ постСпСнно ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ, наблюдая Π·Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ схСмы. ЗафиксируйтС ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ пСрСстаСт расти. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ваш ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ срабатывания. Если ΠΎΠ½ отличаСтся ΠΎΡ‚ расчСтного, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» рСзистора Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ тСстировании схСмы с высоким Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ накаливания Π² качСствС балластной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ Π²ΠΎΠ·Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ошибкС Π² расчСтах ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Π² процСссС ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ.
πŸ’‘

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ·ΠΎΡ€ ΠΈΠ»ΠΈ хотя Π±Ρ‹ бСсконтактный Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ для контроля Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ транзистора Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ срабатывания ограничСния. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΡΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ с Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ сгорит.

ЧастыС ошибки ΠΈ способы ΠΈΡ… устранСния

Одной ΠΈΠ· распространСнных ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ являСтся Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° срабатывания. Π­Ρ‚ΠΎ часто связано с Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ напряТСния "Π±Π°Π·Π°-эмиттСр" биполярного транзистора. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ сниТаСтся, ΠΈ схСма Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. РСшСниС β€” использованиС транзисторов с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ компСнсации.

Другая ошибка β€” Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзистора (N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ вмСсто P-канального ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚). Π’ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… схСмах Π½Π° "Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ" сторонС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ дСшСвлС ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ характСристики. Однако для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания Π½Π° "плюсС" (High-Side) Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ подходят P-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, хотя ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠΈ слоТнСС.

Если схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ с гистСрСзисом (послС срабатывания Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ восстанавливаСтся сразу), это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ плюсом, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ минусом. Π‘ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны, это ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ "Π΄Ρ€Π΅Π±Π΅Π·Π³" ΠΏΡ€ΠΈ скачках. Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ β€” ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π²Ρ€ΡƒΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ систСму. Для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ гистСрСзиса Π² схСму Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи.

πŸ’‘

Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рСзисторов Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° опрСдСляСт Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ всСй систСмы. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты с допуском Π½Π΅ Ρ…ΡƒΠΆΠ΅ 1%.

Вопросы ΠΈ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚Ρ‹

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор вмСсто ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора?

ВСхничСски ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π½ΠΎ это ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ нСэффСктивно. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ рСзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ постоянно Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, сниТая ΠšΠŸΠ” систСмы. Вранзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π°, Π° Π² ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ минимальноС сопротивлСниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ экономит ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ.

Как Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ для транзистора IRF3205 ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ 20А?

РасчСт зависит ΠΎΡ‚ падСния напряТСния. ΠŸΡ€ΠΈ 12Π’ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ 20А ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 200 Π’Ρ‚ (Π² Ρ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅ΠΌ случаС ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания). Π’Π°ΠΌ понадобится массивный Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ с ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Π΄ΡƒΠ²ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ пассивный Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 2000 см².

Π§Ρ‚ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚, Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ прСвысит ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора?

Вранзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ пробоя ΠΈ сгорит. Π’ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΌ случаС сработаСт внутрСнняя Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° (Ссли ΠΎΠ½Π° Π΅ΡΡ‚ΡŒ), Π² Ρ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅ΠΌ β€” ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ сток-исток, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Π²ΠΎΠ·Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя источника питания.

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ?

Π”Π°, это ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· основных сфСр примСнСния. Однако схСма Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассчитана Π½Π° пусковыС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ стартСра (сотни Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ ΡΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ запускС двигатСля. Для этого ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ схСмы с Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΎΠΉ срабатывания.

НуТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ ΠΎΡ‚ пСрСнапряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅?

ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. НапряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ допустимоС (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Β±20Π’). Π˜Π½Π°Ρ‡Π΅ оксидный слой Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ, ΠΈ транзистор Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя навсСгда. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ стабилитрон Π½Π° 15-18Π’ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком.